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　　这天外之地

> 厂商新闻《内存价格飞升，国产替代能否改变战局？》特朗普继续对日本施压：日本需要开放市场 时间：2025-11-29 01:53

• 编辑:CN

 01 等等党永远的痛

当图吧攒机老哥在几个月前发帖吐槽内存条和固态硬盘越来越贵时，或许很少有人会想到，一场席卷整个消费电子行业的内存涨价风暴，已经悄然开启。

如今打开电商平台，任意挑选一款16GB DDR5 内存条，已经很难找到800元以下的产品；一块最基础的M.2接口固态硬盘，每TB价格将近800块钱，而就在今年年初，同样规格的产品只需要不到一半价钱就能拿下。

以上这些都只是目前我们可以感知到的最直接的变化。

随着这轮内存涨价压力继续传递，接下来包括手机、平板、PC等一系列消费电子产品售价都会受到不同程度的影响，特别是大部分中低端千元机，相较于旗舰手机这部分机型由于内存原本占整机bom成本比例较高，受到的影响也最明显。

雷军早在10月底回应红米K90首销定价时就已经无奈表示“最近内存涨价实在太多了”，而卢伟冰则在上周小米三季度业绩会上表示，尽管小米已经与合作伙伴签订了2026年全年供应协议，但不排除未来可能通过涨价和产品结构升级来平滑成本压力。

消费级数码产品“早买早享受，晚买享折扣”万能定律暂时失效。

此番场景不禁让人会回想起几年前挖矿狂热时那批被炒至天价的游戏显卡，稍微有点不同的是，相较于矿场散户囤货居奇，这次出手大肆扫货的金主是资金流更加充沛且稳定的各大AI巨头。

原因也是显而易见的。

随着全球AI产业竞争进入白热化阶段，当前各大AI大模型不仅在算力训练上有着更庞大的数据吞吐需求，更多的AI落地应用场景以及全球AI数据中心数量的高速增长，也在指向更多的高性能AI服务器。

巴克莱研究指出，由OpenAI、亚马逊、Meta、微软、xAI等超大规模厂商牵头规划或建设的数据中心项目，预计总投资额将超过2.5万亿美元，当中AI服务器的成本占比高达60%。

（图示：OpenAI的星际之门AI数据中心平台）

按照当前的算力要求，一台AI服务器的DRAM内存需求是普通服务器的8倍，而NAND闪存需求则达到3倍，要满足这些需求，除了大量高性能闪存和DDR5内存供应外，更离不开专门为AI服务器打造的HBM（高带宽内存）。

所谓HBM，即High Bandwidth Memory是由三星、SK海力士等上游工厂推出的基于3D堆叠技术的高效能内存，与传统的内存架构相比，HBM 具有更高的引脚密度和更低的延迟，能够在有限的空间内提供更大的内存容量和更快的数据访问速度。

（图示：SK海力士展示其第五代HBM3E封装技术）

更高的带宽，更快的传输速度以及更低的功耗，让HBM内存成为了当下所有AI巨头打造AI数据中心、突破算力瓶颈的关键所在。

（图示：HBN深度参与到过去十年间AI爆发进程）

对于上游代工企业来说，尽管HBM内存的利润水平高达50%-70%，但因其产能消耗是普通DRAM内存的3倍，过度生产HBM将会挤压其他DRAM产品的产能，此前并非上游业务重心，而如今为了满足AI巨头们激增的采购需求，三星、SK海力士和美光自今年4月份便已悄然将更多产能转向服务器规格的DDR5和HBM，并进一步降低DDR4产能。

来自AI大户对高性能DRAM的库存消耗叠加产能下降，自今年年中以来整个内存产业供应结构在快速改变，下游市场预期供应不断减少，引发了大批渠道商、下游企业的恐慌性囤货潮。

虽说消费市场感知不明显，但今年前三季度，整个内存行业，包括内存条、固态硬盘等产品都是一个暗涨的状态，根据TrendForce在7月统计，今年二季度整个内存行业的合约价涨幅已经在5%-10%，并且预测三季度这个数字将会进一步增至10%-15%。

所有这些供应链上的异变在这两个月终于传递到零售端，最终引发了这波就连普通消费者也能感知的“内存涨幅堪比黄金”的涨价盛况，然而这其实仅仅是个开始。

随着AI巨头仍未见底的采购需求，有渠道调研显示，今年四季度服务器DRAM合约报价已经飙升近70%，NAND合约价格上涨20-30%；摩根士丹利指出，目前DRAM价格已经突破历史高位，正在开启一轮前所未见的"超级周期"，行业普遍预测这并非短期的炒作或产能缺口，投研机构伯恩斯坦判断这种供应紧张局面至少将持续至2026年上半年，甚至可能蔓延至2027年。

（图示：Counterpoint预测来年内存价格涨幅走势）

AI高速发展这几年将会如何深刻改变我们的生活暂时不好说，但这下是真的在深刻且平等地掏空每一位等等党的钱包。

 02 韩国人的产业狂欢

这轮久违的内存涨价潮，帮助三星、SK海力士等上游工厂时隔多年后重拾了产品定价权，满足了一波“厂长翻身做主人”的快乐，韩国半导体产业开启“猎杀时刻”。

一般来说，半导体行业具有明显的周期性，上游产能在根据下游市场需求调整产能时往往具有滞后性，一旦供不应求内存价格升高，上游便开始扩大产能，随后将会导致产品供过于求并引发价格回落，如此循环往复带动价格波动。

然而，近年来随着下游手机、PC市场增长陷入停滞，内存行业产能长期处于供过于求的状态，库存增加导致内存价格持续低迷，空有产能不赚钱的问题一直困扰着上游工厂。

早在2018年，为了稳定内存价格，三星、SK海力士、美光等上游企业就开始尝试主动减产控量的方法，试图倒逼价格回暖，其中美光明确表示要将2019年的运营预算下调12.5亿美元，以减少DRAM内存和NAND闪存产能，三星、SK海力士那段时间频繁的内存厂房失火，则被大伙调侃成上游曲线控价手段。

（图示：前些年三星内存工厂频繁停电、失火事故成为新闻热话）

上游企业控价手段了得，但仍然抵不过行业供过于求的发展趋势，到了去年年底，在各大数码论坛讨论帖子中，内存条和固态硬盘的装机成本都快被忽略不计，随便攒一台入门级PC那都是32G DDR5、4TB固态硬盘起步，那时候恐怕没多少人会想到，短短几个月后，行情就会发生翻天覆地变化。

（图示：几年前知乎上有这么一个发问）

与过往手机、笔记本市场需求变化带来的正常行业周期波动截然不同，本轮内存上升周期由AI数据中心和云服务商主导，这些客户对价格敏感度较低同时需求旺盛，大批资金和订单涌入让上游工厂直接开绿灯调整产能结构，大量产能在短时间内被转移到HBM产线，成为三星、SK海力士和美光新的业绩增长曲线，三巨头上个月甚至默契地暂停了当月DRAM合约报价，以此正式宣告了全球性的内存缺货潮到来。

值得一说的是，在布局HBM路线多年后，韩国半导体产业终于迎来了这项技术的高光时刻。

从DRAM市占比来看，目前三星、SK海力士和美光的市场份额分别是36%、34%和20%左右，表面上是三分天下格局，然而细分到HBM领域，以三星和SK海力士为主导的韩国半导体企业却常年坐拥超过90%的市场份额，无论从技术积累还是市场表现来看，都是断层式领先。

其实从技术特点来看，HBM并不新颖。

早在2008年，曾经的日本内存巨头尔必达就已经发力攻坚3D DRAM芯片堆叠技术，并且在次年发布了业内第一款业内首款3D DRAM内存，这也被被视作是HBM内存的前身。

同一时期，AMD就与海力士半导体结联共同攻克内存堆叠技术；三星在2010年加入战团，紧随SK海力士开始了HBM内存的研发，随后就是韩国半导体巨头们漫长的你追我赶研发竞赛。

三星在2016年抢先SK海力士成功量产HBM2，并将每个HBM堆栈容量提升至8GB；2021年10月，一直紧咬三星的SK海力士又成功量产HBM3，重新夺回主动权；现如今两家企业第五代HBM产品HBM 3E已经投入市场，新一代HBM4预计将在2026年投产。

面对全新的HBM技术路线，美国的美光并没有选择第一时间跟进，直到2021年6月才推出了旗下首款HBM2E内存，而当时三星和SK海力士已经向英伟达、AMD和英特尔等公司交付了HBM和HBM2两代堆叠DRAM内存，抢占了大量市场份额。

从研发时间跨度来看，堆叠式内存有着将近20年的历史，但由于生产成本高企、长期缺乏规模化的下游市场，这项领先时代的技术并没有普及开来。

尽管日本的尔必达曾在内存堆叠技术上实现突破和领先，但由于日本欠缺完整的半导体产业链，而HBM生产设计到涉及到制造、封装等多个芯片生产流程，远非尔必达一家公司可以包圆，为了提高良率爬坡尔必达不得不加大投资寻找台湾地区的代工、封装企业求援，让本就债台高筑的尔必达更加雪上加霜。

最终，曾经的日系王者达尔优在庞大的额债务和不景气的市场刺激下，于2012年宣布破产并最终卖身美光，消失在行业的长河中。

相反，三星、SK海力士等韩国半导体企业并没有盲目深入研发或者贸然转变路线，反而是依靠持续稳定的大规模生产能力不断降低HBM生产成本，拉高其他公司竞争门槛的同时，默默等待着市场爆发时机。

对于以“举国体制+财团突围”模式打造半导体产业的韩国而言，三星和SK海力士无论是资源整合能力，还是对本国产业链的号召力，在全球半导体市场几乎都有着独一无二的竞争力，特别是在双方多年开发HBM技术过程中，多家韩国上下游本土供应商加入不仅大大加快了开发进程，并从客观上分担了研发成本，最终才有了今天的制霸盛况。

可以说这轮内存行业的“超级周期”不仅是三星和SK海力士的胜利，更是一场韩国半导体产业的全民狂欢。

现在的问题是，韩企真的杀死比赛了吗？

 03 国产替代，自成一派

当美韩巨头在集体瓜分AI热潮带来的内存涨价红利时，国产替代正在异军突起。

自上世纪70年代英特尔推出首款成熟可商用内存C1103以来，全球内存半导体产业在短短数十年间经历了美日韩多地的产能和技术转移，超过40家内存厂商一路厮杀淘汰兼并，并最终形成如今三星、SK海力士、美光三分天下的格局。

在这个过程中，国产内存产业长期缺席一线竞争，一方面是因为我国半导体产业起步较晚，还有一个原因是来自西方国家的技术封锁。

1996年7月，以西方国家为主导的33个国家在奥地利签署了《瓦森纳协定》，对武器和技术的出口加以限制，其中，一份针对我国的军民两用商品和技术清单，涵盖了包括先进材料、材料处理、电子器件在内的9大类产品，而芯片和内存类产品也在其中。协定中专门设置了一项N-2审批原则，即输入中国的任何技术，都要比西方国家晚至少2个世代。

如此一来，美日韩这些半导体大国既能保证落后产能和商品流通，也能始终确保自家制程、技术领先。

受限于外部封锁，上世纪90年代我国工程师只能在实验室“手搓”几十MB的内存，也正因如此，在很长一段时间，国产内存都处在断代空白期。

这种憋屈的状况一直持续到2014年，在经过多年自主摸索半导体和集成电路产业后，一个由政府牵头引入外部资金打造的国家集成电路产业投资基金正式成立，也就是我们如今熟知的“国家大基金”，重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等领域，一期募资总额高达1387亿元，其中67%投向芯片制造领域。

在国家大基金牵头下，2016年国产内存领域诞生了两位重量级选手，分别是总部位于武汉的长江存储以及合肥的长鑫存储。

两家企业研发分工明确，长江存储主攻NAND闪存技术研发，而长鑫则主要负责DRAM内存的量产突破。

2018年，长江存储实现了32层3D NAND闪存量产，帮助国产NAND量产达成“0的突破”；仅仅一年过去，依靠自研Xtacking架构，长江存储成功将堆叠层数提高到64层；到了2020年，长江存储已经拥有两款128层的3D NAND闪存产品，成为内存行业仅次于前三巨头的第二梯队选手。

而根据长江存储在2024年公布的Xtacking 4.0数据，新一代3D NAND闪存芯片已经可以实现270层堆叠。

由于Xtacking架构的制造原理是在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，然后在芯片封装阶段再将两者合二为一，能够在晶体管密度较低的情况下依然保持闪存芯片性能，这也就意味着，即使是在先进制程光刻机被封锁的情况下，长江存储也能通过现有的成熟制程继续推进3D NAND技术研发。

另一方面，长鑫存储也在2019年实现了第一代19nm工艺的DDR4 DRAM内存量产，成为中国大陆第一家真正意义上的自研、自建、自量产的DRAM 厂商。在这之后，长鑫存储一路高歌，逐步实现了DDR4、LPDDR4X、LPDDR5、DDR5的量产突破，并逐步向10nm级工艺推进。

就在刚刚开幕的IC China 2025博览会上，长鑫存储发布了最新一代DDR5产品系列，其最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，国产DRAM内存正式从性能上达到国际领先水平。

两大明星企业背后，国产内存产业链也已经形成规模，当中包括主攻服务器内存缓冲芯片的澜起科技，负责内存控制器模组的江波龙、东芯半导体，还有拥有全球领先封测工艺的长电科技、通富微电等一大批“隐形冠军”。

当下，国际市场内存产业投资重心逐渐转变，正从单纯扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品，从这个角度来看初登国际牌桌的国产内存产业在技术和规模上，与一线巨头相比或许仍有差距。

不过回头再看，在不到10年时间内，从长江存储的差异化技术路线发展，到长鑫存储的产能追赶，再到一批上下游企业的国产渗透，国产内存产业不仅填补了过去漫长的空白，还顺势打造了一条完整的国产内存替代产业链。

按照这个发展趋势，离三星、SK海力士和美光“杀死比赛”还远着，一个属于中国内存产业的崛起与突围故事才刚刚开始。

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